Confronto tra le RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 38

Intorno 29% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 14.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.0 10.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 19200

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2173 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns