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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
41
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
31
Velocità di lettura, GB/s
10.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
2816
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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