RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
64
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
26
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
4022
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link