RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2468
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link