RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
71
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
24
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2858
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link