RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
27
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2537
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link