Confronto tra le RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Punteggio complessivo

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 74

Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.7 13.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.6 7.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2312 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns