RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3579
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link