Confronto tra le RAM PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Punteggio complessivo

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 86

Intorno 69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.8 12.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.4 5.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2274 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns