RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
3606
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link