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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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