RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
66
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
66
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1953
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link