RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2890
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link