RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
36
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2360
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link