RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
59
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
42
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2735
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link