RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
69
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
53
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2440
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link