RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
60
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
60
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2554
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link