RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
77
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
52
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2260
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link