RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
77
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
33
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2764
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link