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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
15.0
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3732
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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