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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
17.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3933
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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