RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
34
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
17.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
34
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3697
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link