RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2550
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link