RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
3757
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link