RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
73
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
73
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1744
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link