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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
51
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
37
51
Velocità di lettura, GB/s
13.2
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2049
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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