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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3294
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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