RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2870
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link