RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
49
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link