RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3535
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link