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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
11.7
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
1788
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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