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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
56
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17500
6400
Intorno 2.73 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
52
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17500
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2319
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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