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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Confronto
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2275
3784
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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