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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2963
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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