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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3632
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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