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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
40
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2786
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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