RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3866
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link