RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3222
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link