RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link