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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3386
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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