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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
49
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
20
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2707
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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