Confronto tra le RAM Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 49

Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 10.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 8.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 17000

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2427 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns