RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
37
Velocità di lettura, GB/s
10.2
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2389
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link