RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
52
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2595
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link