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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
44
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
32
Velocità di lettura, GB/s
11.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2528
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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