RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3713
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link