RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
10.4
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3698
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link