RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
10.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3638
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link