RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
20
Velocità di lettura, GB/s
8.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2503
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link