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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
54
Velocità di lettura, GB/s
9.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
1904
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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